전공정에서 사용되는 수소 어닐링 장비를 글로벌 TOP- tier 업체향 생산및 판매
매출비중은 비메모리향 70% 메모리 향 30% 수준
반도체 공정 미세화로 High-K Metal Gate(HKMG)구조로 진화 하면서 고온에서 메탈이 녹는 문제로 고온 어닐링 장비를 사용할수 없게 됨 이때 저온 (200도~450도)에서 100% 농도의 수소를 고압으로 어닐링 하는데 성공, 동사 장비 시장에서 주목 받음
반도체의 기술의 발전에 따른 고집적화 , 고전력화, 고속화에 따라 GATE에서 낮은 누설전류가 요구 고압 수소 어닐링효과로 인해
계면 결함이 감소되면 전자 전자이동량 향상 트랜지스터 성능개선 됨
올해 예상 매출액 2134억(+21% YoY), 영업이익 1,123억(+18% YoY) 시장 기대보다 다소 낮게 전망
매출액 기준 -22% 하향 조정 비메모리에서 메모리로의 장비확산이 당초 예상보다 더디에 진행되는 것도 이유
올해실적기준 PER 40배이상 기대감 너무 이르게 반영해 나가는 모습 타업체들과의 밸류에이션 괴리 고려하면 단기적
다소 부담 존재 하나 독과점 기술력 영업이익률 53% 실화냐 수급개선 되는 흐름
미세공정 확대 트렌드에 이어 DRAM과 낸드 모두 신규고객사향 고압수소 어닐링 장비 테스트 진행중
현재 CAPA 2022년말 대비 2배 증설중 2025년 부터 매출액기준 3200억원 이상 CPPA 온기 반영 전망
AI산업에서 메모리 수요 지속 증가 , 선단공정 확대에 따른 수혜
정배열 눌림목 구간 대량 거래 동반하며 전고점 돌파 신고가
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*계면결함: 주로 전공정중 이온주입 공정으로 인해 웨이퍼 계면(경계면, 표면)에 빈공간이 발생하는 현상
*어닐링 : 금속등 내부의 변형을 바로 잡기 위하여 일정 온도까지 가열했다가 서서히 식히는 열처리 방법의 하나
(성형성을 향상 시켜 일정한 조직을 얻기 위하여 실시)
*HIGH-K : 반도체의 게이트나 커패시터를 만들때 사용하는 신물질, 반도체 회로의 미세화에 따라 50나노 이하로 내려가면 전류 누설이 문제가 된다 이와 같은 문제를 해결하기 위해 절연막으로 하이-K를 사용함으로써 전하를 가두어 전류 누설을 막을수 있다
대표적인 하이-K물질 (하프늄, 다이옥사이드, 지르코늄 다이옥사이드)
